17. 반도체 공정에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
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| 17. | 반도체 공정에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? |
| 1. | 식각공정의 순서는 식각될 기판을 석영보트에 넣어 진공 반응기로 도입→CF4나 CHF3와 같은 식각기체를 채우고 소량의 O2를 넣음 → RF에너지를 기체혼합물에 가해 플라즈마를 발생시켜 식각 시작 → 식각 후 기체상태인 생성물질은 진공펌프로 배출의 순서로 이루어진다. |
| 2. | 이온주입은 전하를 띤 원자인 도판트, 즉 이온들을 직접기판의 원하는 부분에 주입하는 공정을 말하며, 균일한 도핑이 가능하지만 도판트의 양을 정확히 조절할 수 없다. |
| 3. | 박막형성 공정 중 CVD법은 기체, 액체, 고체의 반응물을 기체상태로 반응기에 공급하여 기판 표면에서 화학반응을 유도하여 고체 생성물인 박막을 형성하는 공정이다. |
| 4. | 웨이퍼 세척은 기계적 처리방법으로 미립자를 제거하고, RCA법과 같이 화학적 처리로 막을 제거한다. RCA법은 유기막 제거 → 수화물 제거 → 이온 및 금속의 탈착 → 건조 → 보관의 순서로 이루어 진다. |
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